저항 메모리(Resistive RAM: RRAM 또는 ReRAM)는 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류이다.

RRAM은 부도체 물질에 충분히 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 것이다. 일단 통로가 생성되면 적당한 전압을 가하여 쉽게 없애거나 다시 생성할 수 있다. 페로브스카이트(perovskite)나 전이금속 산화물, 칼코게나이드 등의 다양한 물질을 이용한 RRAM이 개발되고 있다.