High Bandwidth Memory (zkratka HBM), česky „vysokovýkonnostní paměť“, je nový druh 3D pamětí, který překonává všechny dosavadní typy pamětí v mnohých parametrech. Původní využití bylo zaměřeno pouze na využití u čipů grafických karet jako nástupce GDDR5, v budoucnu však může nahradit i běžné DDR4 paměti, nakonec je plánováno využití i jako rychlé cache procesorů^[zdroj?].

Vývoj

Firma AMD začala na vývoji pracovat už v roce 2008, kdy se snažila o řešení neustále se zvyšujících požadavků na prostupnost moderních pamětí. Později AMD začalo spolupracovat s SK Hynix a UMC. První prototypy se objevovaly až v roce 2015. 19. 1. 2016. Samsung oznámil masovou produkci. Masový prodej má být zahájen v létě 2016 a to konkrétně u grafických karet.

Parametry

HBM 1

Rychlost až 128GB/s na jednu vrstvu, však s omezením kapacity 4GB na jeden čip ze čtyř vrstev čili s celkovou rychlostí 4 x 128 = 512 GB/s
Velmi nízká spotřeba
Velmi efektivní oproti GDDR5, což umožňuje jednotlivé čipy skládat na sebe
Čip HBM o kapacitě 1GB může být osazen na plochu neuvěřitelných 35 mm², což je 19× méně než potřebuje čip GDDR5 o stejné kapacitě (672 mm²)
Čip je tenký pouze 100 mikronů (jako papír), takže i když se tyto čipy skládají na sebe po čtyřech rozměry jsou pořád malé

HBM 2

Revoluce však přichází až s druhou generací těchto pamětí, která je 2× rychlejší než první generace a dosahuje prostupnosti až 256 GB/s s jedním čipem
Čipy nyní mohou mít kapacitu až 8GB (osm 1GB vrstev) pro high-end je již v plánu 16GB varianty (dva čipy po osm vrstvách nebo jiné kombinace)
Budoucnost předpokládá rychlosti v řádech terabajtů za sekundu (limit pro kapacitu je stanoven prozatím na 48GB s maximální teoretickou rychlostí 12TB/s)
Dvojnásobný poměr prostupnosti ku spotřebě (GB : Watt) oproti GDDR5

Výrobci

Odkazy

Reference

V tomto článku byl použit překlad textu z článku High Bandwidth Memory na anglické Wikipedii.

Související články

.mw-parser-output .navbox-title .mw-collapsible-toggle{font-weight:normal} Paměťové čipy Asynchronní EDO RAM • FPM RAM Synchronní SDR • DDR • DDR2 • DDR3 • DDR4 • DDR5Mobilní: Mobile DDR • Mobile DDR2 • Mobile DDR3 Grafická VRAMG • GDDR2 • GDDR3 • GDDR4 • GDDR5 • GDDR5X • GDDR6 • GDDR6X • HBM • HBM2 Rambus RDRAM • XDR DRAM • XDR2 DRAM Technologie SIMM • DIMM • Double data rate • Vícekanálová architektura paměti • Rank paměti • CAS latence

Pahýl Tento článek je příliš stručný nebo postrádá důležité informace.Pomozte Wikipedii tím, že jej vhodně rozšíříte. Nevkládejte však bez oprávnění cizí texty.

Kategorie