Fotoresist (ingl k photoresist) ehk fotolakk (saksa k Fotolack) on polümeerne valgustundlik materjal, mida kasutatakse fotolitograafia protsessides integraaallülituste ja trükkplaatide valmistamisel. Fotoresisti säritamisel (tavaliselt laseri ultraviolettkiirgusega valgustamisel) muutub selle koostis fotokeemiliste reaktsioonide tulemusel nii, et see lahustub teatud ainetes. Fotoresist kantakse töödeldavale pinnale ja säritatakse läbi fotošablooni (vajaliku mustriga maski), nii et moodustuvad lahustatavad pinnaosad (aknad) edasiseks töötlemiseks.
Olenevalt fotoresisti lahustuvusomadustest eristatakse negatiiv- ja positiivresiste.
- Negatiivresisti lahustuvus säritamisel järsult väheneb – säritatud pinnaosadel resist polümeriseerub ning muutub ilmutamisprotsessis lahustamatuks, s.t katab säritatud pinnaosad, valgustamata pinnaosadelt resist lahustub:
- Positiivresisti lahustuvus säritamisel suureneb – säritatud pinnaosadel muutub resist lahustuvaks ja ilmutamise järel eemaldatakse, nii et alles jäävad ainult säritamata (maskiga kaetud) pinnaosad.
Fotoresistide tähtsamad lähtematerjalid on polümeerid (nt polümetüülmetakrülaat, polümetüülglutarimiid) ja epoksüvaigud (nt fotolakk SU-8). Ilmutina on kasutusel näiteks tsüklopentanoon või gammabutürolaktoon,